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Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo con haz de iones enfocado DB550 Ga+
El DB550 integra una columna de haz de iones enfocado (FIB) de Ga+ con un microscopio electrónico de emisión de campo (MEB) con óptica electrónica "Super Túnel" (lente libre de magnetismo y baja aberración), resolución iónica de 3 nm a 30 kV y resolución MEB de 0,9 nm a 15 kV. Incluye un nanomanipulador (precisión ≤10 nm), un sistema de inyección de gas (GIS único, control de temperatura de ±0,1 °C) y un dispositivo de carga compatible de 8 pulgadas. Ideal para nanofabricación, análisis de fallos de semiconductores y caracterización de materiales con flujos de trabajo automatizados y detectores ampliables (EDS/EBSD/STEM).
Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo con haz de iones enfocado DB550 Ga+ Estación de trabajo FIB-SEM integrada Óptica electrónica de supertúnelSend Email Detalles
