Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo con haz de iones enfocado DB550 Ga+

Ventajas tecnológicas fundamentales

La superioridad del DB550 proviene de cinco innovaciones clave:

1. "Super Túnel" Óptica electrónica:Cuenta con desaceleración del haz en columna para reducir los efectos de carga espacial, lo que permite obtener imágenes de alta resolución de bajo voltaje (20 V–30 kV) con aberraciones mínimas.

   
   

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3. Camino libre de cruces:Elimina los cruces de haz para mejorar la resolución y reducir las distorsiones de la lente, algo fundamental para el análisis de características subnanométricas.

   
   

4. Lente objetivo compuesta electromagnética y electrostática:Admite imágenes de bajo voltaje (1 kV) con una resolución de 1,6 nm, al tiempo que permite la observación de muestras magnéticas, algo inalcanzable con los SEM convencionales.

   
   

5. Lente de temperatura constante refrigerada por agua:Garantiza la estabilidad y repetibilidad durante experimentos a largo plazo, con cambio automático de apertura para transiciones de modo rápidas.

   
   

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7. Sistema de apertura variable de múltiples orificios:Utiliza la desviación electromagnética para cambiar sin problemas entre los modos de obtención de imágenes (por ejemplo, electrón secundario, electrón retrodispersado) sin necesidad de realizar ajustes mecánicos.

   
   

Componentes clave y rendimiento

Columna de haz de iones enfocado (FIB):-Resolución:3 nm a 30 kV (haz de iones Ga+), con corrientes de sonda de 1 pA a 65 nA para fresado delicado o eliminación de material a granel.

• Estabilidad:Funcionamiento ininterrumpido de 72 horas, intervalo de intercambio de fuente de iones ≥1000 horas y rango de voltaje de aceleración de 0,5 kV a 30 kV.

  
  

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Nanomanipulador:

• Sistema piezoeléctrico de tres ejes, montado en cámara, con precisión de movimiento ≤10 nm y velocidad máxima de 2 mm/s. Ideal para el posicionamiento preciso de muestras y la manipulación in situ.

  
  

Sistema de inyección de gas (GIS):

• Diseño de GIS único con múltiples gases precursores (p. ej., platino y tungsteno para deposición), distancia ≥35 mm y repetibilidad de movimiento ≤10 μm. El control de calentamiento (temperatura ambiente - 90 °C) con una precisión de ±0,1 °C garantiza reacciones químicas consistentes.

  
  

Aplicaciones en diferentes industrias

Semiconductor:

• Análisis de fallos de chips CI mediante fresado transversal, preparación de muestras TEM (adelgazamiento de láminas) y edición de circuitos. Fundamental para la depuración de nodos avanzados (p. ej., 7 nm/5 nm).

  
  

Nueva energía:

• Caracterización del material de la batería de iones de litio: observación de la morfología, análisis del tamaño de partículas y diagnóstico de fallas (por ejemplo, crecimiento de dendritas) utilizando BSE/EDX/SIMS.

  
  

Materiales cerámicos:

• Mecanizado micro-nano de alta precisión (por ejemplo, grabado de zanjas) combinado con imágenes 3D a través del estudio BSE/EDX/EBSD/SIMSables de los límites de grano y las distribuciones de fase (escala: 2–5 μm).

  
  

Materiales de aleación:

• Análisis de fase reforzada (por ejemplo, compuestos de matriz metálica) utilizando muestras TEM preparadas con FIB para difracción de transmisión Kikuchi (TKD) y pruebas mecánicas in situ.

  
  

Especificaciones técnicas

Óptica electrónica:

• Pistola:Cañón de electrones de emisión de campo Schottky de alto brillo.

  
  

• Resolución:0,9 nm a 15 kV (alto contraste), 1,6 nm a 1,0 kV (alta resolución).

  
  

• Voltaje de aceleración:20 V–30 kV (variable).

  
  

Sistema de haz de iones:

• Fuente:Fuente de iones metálicos líquidos Ga+.

  
  

• Resolución:nm@30kV; voltaje de aceleración 500V–30kV.

  
  

Cámara de muestras:

• Vacío:Sistema totalmente automatizado sin aceite.

  
  

• Escenario:Plataforma eucéntrica motorizada de 5 ejes (X/Y=110 mm, Z=65 mm; inclinación -10°–+70°, rotación 360°).

  
  

• Cámaras:3x (1x navegación óptica + 2x monitorización).

  
  

Detectores y opciones:

• EstándarDetector de electrones en lente, detector Everhart-Thornley (ETD).

  
  

• Opcional:BSD, STEM, EDS, EBSD, nanomanipulador, limpiador de plasma, cargador de 8 pulgadas.

  
  

Interfaz de usuario:

• Sistema operativo Windows con navegación óptica/gestual; funciones de enfoque automático/estigmatizador.

  
  

Ventaja competitiva

En comparación con los FIB-SEM convencionales, el DB550 ofrece:

• Mayor rendimientoLos flujos de trabajo automatizados (carga de muestras, alineación) reducen el tiempo de configuración en un 40%.

  
  

• Mayor flexibilidad:El conjunto de detectores expandible admite análisis multimodal (por ejemplo, EDS para mapeo elemental + EBSD para cristalografía).

  
  

• Confiabilidad de grado industrialLa lente refrigerada por agua y el vacío sin aceite garantizan un funcionamiento 24 horas al día, 7 días a la semana en salas blancas.

  
  

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6. SEM de alta resolución y bajo voltaje

   
   

7. Sistema de inyección de gas GIS

   
   

8. Herramienta de precisión nanomanipuladora

   
   

9. Caracterización de materiales FIB-SEM

   
   

10. Bloqueo de carga de muestra compatible de 8 pulgadas